北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学赵志斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223414084U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422308436.9，技术领域涉及：H01L23/58；该实用新型碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构是由赵志斌;杨晓峰;李学宝;崔翔;金锐;张朋;李哲洋设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构。通过在碳化硅器件封装电路中加入第一串扰抑制模组来抑制第一碳化硅器件受到的串扰，即将驱动电路中的需要抑制第一碳化硅器件受到的串扰的器件，设置在碳化硅器件封装电路中，从而降低了驱动电路的器件数量，即降低了驱动电路的复杂度，从而降低了驱动电路接线的复杂性，进而解决了现有方案在对SiCMOSFET抑制串扰的基础上增加了驱动电路接线的复杂性的问题。
本实用新型碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件封装电路，其特征在于，包括： 第一碳化硅器件，所述第一碳化硅器件的漏极和源极分别用于与碳化硅器件功率芯片电连接，所述第一碳化硅器件的栅极用于与驱动电路电连接； 第一串扰抑制模组，具有第一端和第二端，所述第一串扰抑制模组的第一端与所述第一碳化硅器件的栅极电连接，且所述第一串扰抑制模组的第一端与所述驱动电路电连接，所述第一串扰抑制模组的第二端能与所述第一碳化硅器件的源极电连接，所述第一串扰抑制模组用于抑制所述第一碳化硅器件受到的串扰； 所述第一串扰抑制模组包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一功率开关器件和第四电容，所述第一电阻的第一端与所述驱动电路电连接，所述第一功率开关器件的发射极分别与所述第一电阻的第二端和所述第一碳化硅器件的栅极电连接，所述第二电阻的第一端分别与所述第一电阻的第一端和所述第三电阻的第一端电连接，所述第一功率开关器件的基极与所述第二电阻的第二端电连接，所述第四电容的第一端与所述第一功率开关器件的集电极电连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一碳化硅器件的源极和所述第四电容的第二端电连接。
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