芯恩(青岛)集成电路有限公司吴明获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223415187U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422544782.7，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型一种半导体器件是由吴明设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底结构、半导体结构、第一电极及第二电极，其中，衬底结构至少包括叠层结构及覆盖叠层结构上表面的隔离介质层，叠层结构包括依次层叠的第一极板层、中间介质层、第二极板层；半导体结构位于隔离介质层的上表面且具有第三、四电极及栅极结构，栅极结构控制第三和四电极之间的电性连接的通断；第一电极的一端与第一极板层电连接；第二电极的一端与第二极板层电连接。本实用新型通过改进器件的结构，采用沉积工艺形成第一极板层和第二极板层，同时将第一极板层、中间介质层及第二极板层构成的存储电容设置于器件与衬底之间，缩小了器件的尺寸，提升了器件的集成度，提高了器件的性能。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底结构，至少包括叠层结构及覆盖所述叠层结构上表面的隔离介质层，所述叠层结构包括依次层叠的第一极板层、中间介质层、第二极板层； 半导体结构，位于所述隔离介质层的上表面，所述半导体结构具有第三电极、第四电极以及栅极结构，所述栅极结构控制所述第三电极和所述第四电极之间的电性连接的通断； 第一电极，一端与所述第一极板层电连接，所述第一电极的另一端中至少部分位于所述衬底结构的外部； 第二电极，一端与所述第二极板层电连接，所述第二电极的另一端中至少部分位于所述衬底结构的外部并与所述第四电极电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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