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龙图腾网获悉北京智慧能源研究院;国网福建省电力公司电力科学研究院申请的专利一种注入结构和碳化硅栅控器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223415192U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422536196.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种注入结构和碳化硅栅控器件结构是由李嘉琳;金锐;朱涛;李哲洋;葛欢;王锐设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种注入结构和碳化硅栅控器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种注入结构和碳化硅栅控器件结构，注入结构包括阵列布置的元胞，以及至少一个P掺杂区；元胞包括pbase掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区；pbase掺杂区一端面开设凹槽，P+掺杂区位于凹槽中心处与源极接触相接，N+掺杂区位于P+掺杂区侧面与凹槽侧壁之间；栅极介质区域开设与元胞对应、且由源极接触封堵的第一缺口，栅极接触开设与P掺杂区相对应的第二缺口、及与第一缺口对应的第三缺口；pbase掺杂区与栅极介质区域相接；P掺杂区一端面与栅极介质区域相接。本实用新型提供一种注入结构和碳化硅栅控器件结构可以提高沟道密度、减小栅氧电场强度和碳化硅器件阻断漏电流、减小反向传输电容、减小器件开关损耗。

本实用新型一种注入结构和碳化硅栅控器件结构在权利要求书中公布了：1.一种注入结构，其特征在于：包括阵列布置的若干个元胞，以及至少一个P掺杂区；相邻的所述元胞之间设有间隔，所述P掺杂区位于所述间隔相交处； 所述元胞包括pbase掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区； 所述pbase掺杂区一端面开设凹槽，所述P+掺杂区位于所述凹槽中心处，所述P+掺杂区一端面与所述凹槽底面相接；所述N+掺杂区位于所述凹槽内，所述N+掺杂区一端面与所述凹槽底面相接，且所述N+掺杂区位于所述P+掺杂区侧面与所述凹槽侧壁之间； 所述注入结构位于JFET区域内，所述JFET区域一端面连接外延区域，所述JFET区域另一端面连接栅极介质区域；所述栅极介质区域开设若干个第一缺口，所述第一缺口与所述元胞一一对应，每一个所述第一缺口内各设置一个源极接触，且所述源极接触封堵对应的所述第一缺口；所述栅极介质区域表面覆盖栅极接触，所述栅极接触开设至少一个第二缺口，所述第二缺口与所述P掺杂区相对应；所述栅极接触开设若干个第三缺口，所述第三缺口与所述第一缺口一一对应； 所述P+掺杂区另一端面与对应的所述源极接触相接，且所述源极接触边缘向外延伸至局部覆盖所述N+掺杂区另一端面； 所述pbase掺杂区开设所述凹槽的端面与所述栅极介质区域相接，所述pbase掺杂区另一端面与所述外延区域相接； 所述P掺杂区一端面与所述栅极介质区域相接。

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