广州华星光电半导体显示技术有限公司闫晓林获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119694263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510122928.5,技术领域涉及:G09G3/3266;该发明授权显示装置是由闫晓林;赵军;赵斌;曹蔚然;蔡志辉;何凯;董钰华;葛世民;李珊;李晓齐设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了:本申请提供了一种显示装置,包括显示面板,显示面板包括多级级联的驱动电路,该驱动电路包括栅极驱动信号子电路、初始化信号子电路和参考信号子电路。该栅极驱动信号子电路、初始化信号子电路和参考信号子电路均包括多个氧化物半导体晶体管,其中易产生负偏效应的氧化物半导体晶体管的底栅极与电位控制信号输入端电连接。通过向这些晶体管的底栅极施加不高于‑5伏的负电压信号,可以有效调节其阈值电压,防止负偏效应的产生,同时不影响晶体管的正向导通特性,保持了显示装置的窄边框特性。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板,所述显示面板包括多级级联的驱动电路,所述驱动电路包括栅极驱动信号子电路、初始化信号子电路和参考信号子电路; 其中,所述栅极驱动信号子电路、所述初始化信号子电路和所述参考信号子电路均包括多个氧化物半导体晶体管,所述栅极驱动信号子电路中的至少一部分所述氧化物半导体晶体管的底栅极与电位控制信号输入端电连接,所述初始化信号子电路中的至少一部分所述氧化物半导体晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接,所述参考信号子电路中的至少一部分所述氧化物半导体晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接; 所述栅极驱动信号子电路中的至少三个所述氧化物半导体晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接; 所述栅极驱动信号子电路包括: 第一晶体管,所述第一晶体管的顶栅极与后级初始化信号输入端电连接,所述第一晶体管的漏极与第一节点电连接,所述第一晶体管的源极与第一低电平电源信号输入端电连接,所述第一晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接; 第二晶体管,所述第二晶体管的顶栅极与启动信号输入端电连接,所述第二晶体管的漏极与所述第一节点电连接,所述第二晶体管的源极与所述第一低电平电源信号输入端电连接,所述第二晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接;以及 第三晶体管,所述第三晶体管的源极与所述第一低电平电源信号输入端电连接,所述第三晶体管的漏极与所述第一节点电连接,所述第三晶体管的顶栅极与第二节点电连接,所述第三晶体管的底栅极与所述电位控制信号输入端电连接。
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