电子科技大学周佩珩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119695531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411907588.9,技术领域涉及:H01Q21/24;该发明授权一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线是由周佩珩;尹鸿博;彭春泉;李树伟;陈海燕;韩天成;梁迪飞设计研发完成,并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线在说明书摘要公布了:本发明属于天线领域,具体为一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线。本发明采用三根介质柱与一根旋磁YIG柱构建正六边形的原胞,并辅以上下磁铁层提供磁场,将原胞分为上下两种角度θ互为相反数的阵列后,再适应性紧密排布成整体的阵列天线;激励源放置在功能层的中心位置。本发明的谷定向天线可通过磁场、天线结构、频率等参数调整,从而进行天线的定向性调控,具有多自由度调节特性;在天线器件具有缺陷的情况下可继续工作,鲁棒性高;可用来定向探测和抗干扰;无反射信号,由于拓扑保护的存在,波导内的波只能单向传输;极化和模式的灵活选择,从而实现对极化信号的分离;应用广泛,可用来定向探测和抗干扰和近远场探测等。
本发明授权一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线在权利要求书中公布了:1.一种基于旋磁光子晶体的谷定向天线,其特征在于:为三层的叠层结构,从上至下依次包括上磁铁层、功能层和下磁铁层; 所述上、下磁铁层均为嵌入磁铁柱的金属板,并一一对应的以一根磁铁柱在厚度方向中心重合对准一个原胞旋磁YIG柱中心的方式设置在功能层上、下的两层磁铁层,一根旋磁YIG柱对应上、下共两根磁铁柱;同一磁铁层嵌入的磁铁柱的磁极方向相同,磁铁柱固定在金属板中且均不与旋磁YIG柱接触,从而通过上、下磁铁层提供磁场,磁场大小为0.35T<B<0.5T;金属板是功能层上、下面的完美电导体层,用来形成波导腔; 所述功能层由原胞周期排布构成;原胞的平面形状为正六边形,其内设有互不接触的一个旋磁YIG柱和3个介质柱,原胞的层间结构是在旋磁YIG柱和3个介质柱上下适应性对准的均设置有一层正六边形的金属层,形成上、下两金属层将一个旋磁YIG柱和3个介质柱夹持的带空隙结构; 原胞的晶格常数a>0,天线工作频率随着a变换而变换;以原胞的正六边形的一条对角线为纵向Y轴,与该对角线垂直的对边中线为横向X轴:三个介质柱初始位置分别为正左、右上和右下,且三个介质柱构成等边三角形,等边三角形的中心点为坐标原点,也是旋磁YIG柱的中心点;θ为三个介质柱一起绕中心逆时针旋转的角度;旋磁YIG柱和3个介质柱均为圆柱,旋磁YIG柱的半径r满足0<r<0.5a,介质柱半径r’满足0<r’<r,旋磁YIG柱与介质柱之间的圆心距离为d,满足r+r’<d<0.5a-0.5r’; 原胞的排布周期:在额定区域内将原胞在X轴、Y轴两个方向以正六边形的边为基准依次适应性拼接排布成阵列,要求X方向和Y方向的原胞数均大于5个;原胞排布后的阵列分为上下两部分,上下两部分的原胞数量相等,且介质柱旋转的角度θ是相反数,10°≤θ≤30°,每一部分阵列沿X轴的原胞数和沿Y轴的原胞数相同,然后将上下两部分阵列以120°锯齿状边界上下适应性接触拼接而成,上下部分拼接的120°锯齿状分界处形成波传播的通道,用来进行定向发射;激励源放置在功能层整个阵列的中心位置,整个阵列的上下边界是120°的锯齿状完美电导体或者开放边界,整个阵列的的左右边界为zigzag型开放边界。
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