杭州富芯半导体有限公司崔卫刚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体结构、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063391.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构、制备方法及半导体器件是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构、制备方法及半导体器件，包括提供初始半导体结构；初始半导体结构包括基底、嵌设于基底中的掺杂埋层、暴露于基底表面的浅沟槽隔离结构、位于基底上的栅极、覆盖于栅极和基底表面的阻挡层、层叠于阻挡层上的第一介质层和位于第一介质层上的第一金属层；在制备第一金属层后的中间金属层的制备过程中形成深沟槽，深沟槽贯穿第一介质层、阻挡层、浅沟槽隔离结构后延伸至基底中；填充深沟槽，形成深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构与掺杂埋层用于隔离相邻的器件模块。本申请将深沟槽的形成放在第一金属层后的中间金属层制备过程中，降低对BCD器件中器件层的不良影响，简化了BCD器件的制备工艺，降低工艺整合难度和成本。
本发明授权一种半导体结构、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构；所述初始半导体结构包括基底、嵌设于所述基底中的掺杂埋层、暴露于所述基底表面的浅沟槽隔离结构、位于所述基底上的栅极、覆盖于所述栅极表面和所述基底表面的阻挡层、层叠于所述阻挡层上的第一介质层和位于所述第一介质层上的第一金属层； 在制备所述第一金属层后的中间金属层的制备过程中，在所述初始半导体结构上形成深沟槽；所述深沟槽贯穿所述第一介质层、所述阻挡层、所述浅沟槽隔离结构后延伸至所述基底中； 填充所述深沟槽，形成深沟槽隔离结构；所述深沟槽隔离结构与所述掺杂埋层用于隔离相邻的器件模块。
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