合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种Fin Fet器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511061908.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种Fin Fet器件及其制造方法是由王文智设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Fin Fet器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种FinFet器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括自下而上设置的：衬底；外延层，位于衬底的上面；鳍状阱区，位于外延层的上面，鳍状阱区包括沿着第一方向并排形成的多个鳍片且其鳍片向第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直，每个鳍片的内部分别外延有应力材料层；STI层，位于外延层的上面且沉积于每相邻两个鳍片之间；蚀刻终止层，形成于所述鳍片的侧面未与所述STI层接触的部分，以及所述鳍片的上面；栅层结构，设置在鳍状阱区和STI层的上面，沿着第二方向排列且向第一方向延伸。本发明具有增大驱动电流和提升器件载流子的迁移速率的优点。
本发明授权一种Fin Fet器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFet器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的： 衬底； 外延层，位于所述衬底的上面； 鳍状阱区，位于所述外延层的上面，鳍状阱区包括沿着第一方向并排形成的多个鳍片且其鳍片向第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直，每个鳍片的内部分别外延有应力材料层； STI层，位于所述外延层的上面并沉积于每相邻两个所述鳍片之间，且STI层的侧面与所述鳍片的侧面接触； 蚀刻终止层，形成于所述鳍片的侧面未与所述STI层接触的部分，以及所述鳍片的上面； 栅层结构，沉积在所述鳍状阱区和所述STI层的上面，沿着第二方向排列且向第一方向延伸。
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