合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511046837.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由王文智;张国伟;周文鑫;王建智设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括设置在衬底上的栅极结构，栅极结构外侧的衬底中设置有源极掺杂区和漏极掺杂区，栅极结构外侧的衬底上设置有第一介质层，第一介质层的表面与栅极结构的表面齐平，第一介质层和栅极结构之间的衬底上设置有空腔，空腔至少暴露出源极掺杂区和漏极掺杂区，在第一介质层和栅极结构上形成有第二介质层中，第二介质层覆盖所述空腔，第二介质层中设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽暴露出部分空腔，第二凹槽暴露出栅极结构，第一凹槽和第一凹槽下方的空腔中形成有第一导电柱，第二凹槽中形成有第二导电柱，使得通过第一导电柱外侧存在空腔，降低了半导体器件的寄生电容。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括设置在衬底上的栅极结构，所述栅极结构外侧的衬底中设置有源极掺杂区和漏极掺杂区，其特征在于，所述栅极结构外侧的衬底上设置有第一介质层，所述第一介质层的表面与所述栅极结构的表面齐平，所述第一介质层和栅极结构之间的衬底上设置有空腔，所述空腔至少暴露出所述源极掺杂区和漏极掺杂区，在所述第一介质层和栅极结构上形成有第二介质层中，所述第二介质层覆盖所述空腔，所述第二介质层中设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述空腔，所述第二凹槽暴露出所述栅极结构，所述第一凹槽和所述第一凹槽下方的空腔中形成有第一导电柱，所述第二凹槽中形成有第二导电柱。
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