弘润半导体(苏州)有限公司李维繁星获国家专利权
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龙图腾网获悉弘润半导体(苏州)有限公司申请的专利一种半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511074637.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体芯片的制造方法是由李维繁星;张春霞;盛道亮;陈泳宇;沈红星设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，涉及芯片制造领域，包括，选择晶圆进行沉积，在晶圆沉积的过程中采集沉积数据，并输入预构建的薄膜沉积优化模型，得到双层结构的晶圆，对双层结构的晶圆进行涂覆后定义引导模板，随后进行表面化学修饰并将PS圆柱嵌入双层结构的晶圆，得到具有PS圆柱图案的晶圆，通过反应离子刻蚀在具有PS圆柱图案的晶圆上形成硬掩模，同时以硬掩模为基础进行原子级精度刻蚀，在进行原子级精度刻蚀的过程中利用光学发射光谱和LSTM进行监控和动态调整，形成具有FinFET鳍片的晶圆。本发明通过薄膜沉积优化模型实时分析沉积数据并输出调整指令，为后续提供均匀的硬掩模和刻蚀停止层。
本发明授权一种半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于：包括， 选择晶圆进行沉积，在晶圆沉积的过程中采集沉积数据，并输入预构建的薄膜沉积优化模型，得到双层结构的晶圆； 对双层结构的晶圆进行涂覆后定义引导模板，随后进行表面化学修饰并将PS圆柱嵌入双层结构的晶圆，得到具有PS圆柱图案的晶圆； 通过反应离子刻蚀在具有PS圆柱图案的晶圆上形成硬掩模，同时以硬掩模为基础进行原子级精度刻蚀，在进行原子级精度刻蚀的过程中利用光学发射光谱和LSTM进行监控和动态调整，形成具有FinFET鳍片的晶圆； 通过低温等离子体掺杂方法和选择性激光退火使FinFET鳍片的晶圆生成超浅PN结，并对具有超浅PN结的FinFET晶圆定义栅极图案，输出具有栅结构的FinFET晶圆； 使用双大马士革工艺对具有栅结构的FinFET晶圆进行沉积，获得封装完成的半导体芯片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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