台湾积体电路制造股份有限公司陈仕承获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223428807U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422725613.3，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体结构是由陈仕承;蓝文廷;张荣宏;庄宗翰;蔡佳澄;江国诚设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：此处提供半导体结构。半导体结构包括多个纳米结构沿着第一方向形成于基板上，以及栅极结构沿着第二方向形成于纳米结构上。半导体结构包括源极漏极结构与栅极结构相邻，以及多个内侧间隔物层位于栅极结构与源极漏极结构之间。半导体结构包括硬遮罩层形成于内侧间隔物层上，且硬遮罩层的上表面高于源极漏极结构的上表面。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个纳米结构，沿着一第一方向形成于一基板上； 一栅极结构，沿着一第二方向形成于该多个纳米结构上； 一源极漏极结构，与该栅极结构相邻； 多个内侧间隔物层，位于该栅极结构与该源极漏极结构之间；以及 一硬遮罩层，形成于该多个内侧间隔物层上，其中该硬遮罩层的上表面高于该源极漏极结构的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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