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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310938854.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由侯俊安;吴小鹏;胡洋;张家云;张楠;徐坤设计研发完成，并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底和绝缘层，基底包括阵列区和标记区，阵列区内设有浅沟槽隔离结构及有源区，绝缘层覆盖基底；形成位线接触孔；在绝缘层远离基底的一侧依次形成第一导电层、第二导电层、蚀刻停止层及绝缘覆盖层，第一导电层填满位线接触孔；对绝缘覆盖层进行蚀刻以在阵列区及标记区分别形成绝缘部；以绝缘部为掩膜对蚀刻停止层、第二导电层以及第一导电层进行蚀刻，以在阵列区形成位线结构，并在标记区形成标记图形。本公开的形成方法可减少结构缺陷，提高产品良率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底包括基底和绝缘层，所述基底包括阵列区和标记区，所述阵列区内设有浅沟槽隔离结构以及由所述浅沟槽隔离结构分隔成的多个有源区，所述绝缘层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述有源区以及所述标记区； 对所述有源区和位于所述有源区顶部的所述绝缘层进行蚀刻，以形成位线接触孔； 在所述绝缘层远离所述基底的一侧依次形成第一导电层、第二导电层、蚀刻停止层及绝缘覆盖层，所述第一导电层填满所述位线接触孔； 对所述绝缘覆盖层进行蚀刻以在所述阵列区及所述标记区分别形成绝缘部，位于所述阵列区的所述绝缘部在所述基底上的正投影与位于所述位线接触孔内的所述有源区至少部分重合； 所述蚀刻停止层的蚀刻速率小于所述绝缘覆盖层的蚀刻速率； 以所述绝缘部为掩膜对所述蚀刻停止层、所述第二导电层以及所述第一导电层进行蚀刻，以在所述阵列区形成位线结构，并在所述标记区形成标记图形； 其中，所述蚀刻停止层的材料为非掺杂硅，所述绝缘覆盖层的材料为氮化硅。

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