长鑫科技集团股份有限公司朱洪雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310968647.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由朱洪雷;邹贤;熊少游设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括阵列区和外围区，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底横跨阵列区和外围区；在外围区的基底顶面形成第一扩散阻挡层；形成第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层位于第一扩散阻挡层远离基底的顶面，以及位于阵列区的基底顶面；在第二扩散阻挡层远离基底顶面的表面形成导电结构。本公开实施例至少有利于在保证阵列区的导电结构与基底之间电信号传输的电阻较小的同时，有效避免外围区的基底中的元素扩散至导电结构中。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述制造方法包括： 提供基底，所述基底横跨所述阵列区和所述外围区；在所述外围区的所述基底顶面形成第一扩散阻挡层； 形成第二扩散阻挡层，所述第二扩散阻挡层位于所述第一扩散阻挡层远离所述基底的顶面，以及位于所述阵列区的所述基底顶面；所述第一扩散阻挡层对掺杂离子的扩散阻挡能力高于所述第二扩散阻挡层对所述掺杂离子的扩散阻挡能力，所述掺杂离子包括N型掺杂离子和P型掺杂离子；在所述第二扩散阻挡层远离所述基底顶面的表面形成导电结构。
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