长鑫科技集团股份有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310973493.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法是由李晓杰设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法，存储单元结构包括：沿第一方向延伸的栅极，栅极具有相对的第一面和第二面，第二面具有间隔排布的第一凹陷面和第二凹陷面，第一凹陷面和第二凹陷面均向第一面凹陷；栅介质层，至少保形覆盖第二面；半导体层，保形覆盖栅介质层远离栅极的一侧，半导体层具有与第二面正对的接触面，接触面具有与第一凹陷面对应的第三凹陷面，以及与第二凹陷面对应的第四凹陷面；包括下电极层、上电极层以及位于上电极层和下电极层之间的电容介质层的电容结构，下电极层和与第三凹陷面接触连接；位线结构与第四凹陷面接触连接。至少可以提高存储单元结构的电学性能。
本发明授权存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括： 沿第一方向延伸的栅极，所述栅极具有沿第二方向相对的第一面和第二面，所述第二面具有沿所述第一方向上间隔排布的第一凹陷面和第二凹陷面，所述第一凹陷面和所述第二凹陷面均向所述第一面凹陷，所述第一方向和所述第二方向相交； 栅介质层，至少保形覆盖所述第二面； 半导体层，保形覆盖所述栅介质层远离所述栅极的一侧，所述半导体层具有与所述第二面正对的接触面，所述接触面具有与所述第一凹陷面对应的第三凹陷面，以及与所述第二凹陷面对应的第四凹陷面； 包括下电极层、上电极层以及位于所述上电极层和所述下电极层之间的电容介质层的电容结构，所述下电极层与所述第三凹陷面接触连接； 位线结构与所述第四凹陷面接触连接。
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