长鑫科技集团股份有限公司冯昕获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411506656.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其制作方法以及半导体器件是由冯昕;深作克彦设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体结构、半导体器件以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底；晶体管结构，位于所述衬底表面，所述晶体管结构包括沟道区、位于所述沟道区的正上方的栅极介质层和栅极导电层以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区具有第一顶表面与所述栅极介质层接触，所述源极区具有第二顶表面，所述漏极区具有第三顶表面；其中，所述第二顶表面和所述第三顶表面均低于所述第一顶表面，该半导体结构具有较高可靠性以及稳定性。
本发明授权半导体结构及其制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 晶体管结构，位于所述衬底表面，所述晶体管结构包括沟道区、位于所述沟道区的正上方的栅极介质层和栅极导电层以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区具有第一顶表面与所述栅极介质层接触，所述源极区具有第二顶表面，所述漏极区具有第三顶表面，所述源极区和所述漏极区中掺杂有第一类型离子； 隔离层，覆盖所述栅极导电层和所述栅极介质层表面，并且位于所述源极区和所述漏极区上方，其中，所述隔离层的第一底表面与所述沟道区的所述第一顶表面齐平； 第一补充隔离层，位于所述隔离层与所述源极区之间，所述第一补充隔离层与所述源极区的第二顶表面接触； 第二补充隔离层，位于所述隔离层与所述漏极区之间，所述第二补充隔离层与所述漏极区的第二顶表面接触； 其中，所述第二顶表面和所述第三顶表面均低于所述第一顶表面，所述第一补充隔离层和所述第二补充隔离层的材料为半导体介质材料，所述第一补充隔离层和所述第二补充隔离层中掺杂有第二类型离子，所述第二类型离子与所述第一类型离子的类型相反，互为N型和P型。
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