长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310966093.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底；位于衬底上沿第一方向间隔排布的字线结构，每个字线结构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结构；多个有源柱结构，设置于每一栅极结构的外壁；有源柱结构沿第二方向的至少一端具有开口朝向第二方向的沟槽；环绕栅极结构的部分有源柱结构构成沟道结构，位于沟道结构沿第二方向两侧且邻接沟槽的部分有源柱结构构成源漏极；隔离结构，位于沟槽中邻近栅极结构的内壁；第一方向与第二方向相交、且位于衬底所在的平面内；第三方向与衬底所在的平面内相交。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构，包括： 衬底； 位于所述衬底上沿第一方向间隔排布的字线结构，每个所述字线结构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结构； 多个有源柱结构，设置于每一所述栅极结构的外壁；所述有源柱结构沿第二方向的至少一端具有开口朝向所述第二方向的沟槽；环绕所述栅极结构的部分所述有源柱结构构成沟道结构，位于所述沟道结构沿所述第二方向两侧且邻接所述沟槽的部分所述有源柱结构构成源漏极； 隔离结构，位于所述沟槽中邻近所述栅极结构的内壁； 所述第一方向与所述第二方向相交、且位于所述衬底所在的平面内；所述第三方向与所述衬底所在的平面内相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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