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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310989872.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘克;武迪设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区；对基底进行图形化处理，以形成多个自基底顶面向基底内延伸的凹槽，凹槽和有源区一一对应，凹槽暴露部分有源区；在凹槽侧壁依次形成第一侧壁层和第二侧壁层；形成至少填充满凹槽剩余部分的位线接触层；形成沿第二方向延伸的位线柱，位线柱与至少一个位线接触层接触连接，且位线柱和与其接触连接的至少一个位线接触层构成位线结构，第一方向和第二方向相交。本公开实施例至少有利于提高形成的位线结构的良率，以提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区； 对所述基底进行图形化处理，以形成多个自所述基底顶面向所述基底内延伸的凹槽，所述凹槽和所述有源区一一对应，所述凹槽暴露部分所述有源区； 在所述凹槽侧壁依次形成第一侧壁层和第二侧壁层； 形成至少填充满所述凹槽剩余部分的位线接触层； 形成沿第二方向延伸的位线柱，所述位线柱与至少一个所述位线接触层接触连接，且所述位线柱和与其接触连接的至少一个所述位线接触层构成位线结构，所述第一方向和所述第二方向相交； 其中，在形成所述凹槽的步骤中，还包括：在所述基底顶面形成堆叠设置的第一介质层和第二介质层，所述凹槽由所述基底、所述第一介质层和所述第二介质层共同围成； 形成所述第一侧壁层的步骤包括： 形成第一侧壁膜，所述第一侧壁膜保形覆盖所述凹槽内壁和所述第二介质层顶面； 以所述第二介质层为刻蚀停止层，对所述第一侧壁膜进行回刻蚀，去除位于所述第二介质层顶面和位于所述凹槽底面的所述第一侧壁膜； 去除位于所述第二介质层侧壁的所述第一侧壁膜，剩余所述第一侧壁膜作为所述第一侧壁层。

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