长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411449809.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供一初始结构，包括堆叠的介电层和导电层，导电层包括多条导电条，第一孔沿第一方向贯穿介电层及导电条，且导电条第一孔分隔为两部分；侧向减薄导电条，形成第一空隙；在第一空隙内形成第一铟镓锌氧化物；侧向减薄介电层，暴露部分的第一铟镓锌氧化物，并形成第二空隙；在暴露的第一铟镓锌氧化物的表面形成第二铟镓锌氧化物，且第一铟镓锌氧化物中铟的浓度大于第二铟镓锌氧化物中铟的浓度；在第一孔及第二空隙内形成栅极结构。上述技术方案通过在第二铟镓锌氧化物和导电条之间形成铟浓度较高的第一铟镓锌氧化物，降低接触电阻。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一初始结构，所述初始结构包括沿第一方向依次堆叠的介电层和导电层，所述导电层包括多条沿第二方向延伸、沿第三方向间隔排布的导电条，第一孔沿所述第一方向贯穿所述介电层及所述导电条，且所述导电条在所述第二方向上被所述第一孔分隔为彼此独立的两部分； 沿第二方向侧向减薄所述导电条，在相邻两所述介电层之间形成第一空隙； 在所述第一空隙内形成第一铟镓锌氧化物； 沿第二方向侧向减薄所述介电层，暴露部分的所述第一铟镓锌氧化物，并在相邻的两所述第一铟镓锌氧化物之间形成第二空隙； 在暴露的所述第一铟镓锌氧化物的表面形成第二铟镓锌氧化物，且所述第一铟镓锌氧化物中铟的浓度大于所述第二铟镓锌氧化物中铟的浓度； 在所述第一孔及所述第二空隙内形成栅极结构。
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