山东大学于浩海获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119491300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411661609.3，技术领域涉及：C30B29/30；该发明授权一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法是由于浩海;路大治;武奎;张怀金设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法，属于晶体生长技术领域，本发明通过设计温场材料的非均匀厚度变化来调节晶体生长所需的温度梯度，这有别于传统提拉法温场材料的常规同一厚度设计，基于温场材料的非均匀厚度设计不规则的温场，温场下部薄上部厚，下部薄可以增大固液界面处的温度梯度，为晶体扩肩到4英寸提供合适的过冷度，上部厚有利于晶体的保温，防止晶体的开裂。该温场设计方法对大尺寸铌酸镓镧晶体生长有利于提供合适的温场梯度，实现均匀组分的晶体生长，最终获得高质量大尺寸的铌酸镓镧族单晶。
本发明授权一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法，其特征在于，该方法包括： 设计非均匀厚度的温场，温场的上部区域厚度大于下部区域厚度；下部区域厚度为1mm-50mm； 根据铌酸镓镧族晶体生长的目标条件，调整温场尺寸； 采用非规则加工方式设计厚度可调节的温场，与铌酸镓镧族晶体提拉生长的方向一致；温场的下部区域用于增大固液界面处的温度梯度，温场的上部区域用于晶体的保温； 温场由氧化锆砖和氧化锆棉毯两种保温材料组成； 通过同时改变或分别改变两种保温材料的厚度设计非规则温场； 温场具有半椭圆形凸槽和凹槽，采用多层嵌套的方式垒起； 根据生长晶体的尺寸和放肩的速度，调整温场的尺寸变化，其中调控温场整体外径尺寸，来调控温度梯度，从而获得晶体生长的最佳过冷度，保证高质量大尺寸晶体的生长。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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