北京科技大学张跃获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利石墨烯铜复合材料的界面调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119502529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411652266.4，技术领域涉及：B32B37/06；该发明授权石墨烯铜复合材料的界面调控方法是由张跃;殷君豪;廖庆亮;赵璇;孙嘉彬;刘欢;朱棋;钟雪亮;袁政;翁帆;张玉龙设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本石墨烯铜复合材料的界面调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的GrCuGr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
本发明授权石墨烯铜复合材料的界面调控方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：原材料选择；选择市售的GrCuGr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材； S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体； S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层； S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料； 步骤S3中的所述热退火处理在热处理炉中进行，所述热处理炉内保持氩气气氛；对于熔点高于铜的异质金属，退火温度控制在783-983℃；对于熔点低于铜的异质金属，退火温度控制在883-983℃；退火时间控制在30-150min。
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