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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种制备β-Ga2O3纳米结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119528206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585248.9，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种制备β-Ga2O3纳米结构的方法是由蒋毅坚;贾文静;闫胤洲;潘永漫设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备β-Ga2O3纳米结构的方法在说明书摘要公布了：一种制备β‑Ga2O3纳米结构的方法，涉及半导体材料领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、在研钵中研磨后200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；在管式炉中进行预烧制；将烧制后的圆柱形料棒放入光学浮区炉中，调整浮区炉卤钨灯输出功率，通入氧气，光照后经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出β‑Ga2O3纳米结构。纳米结构中包含纳米丝、纳米带等，该纳米结构尺寸不一，形貌多样。此方法加快了氧化镓纳米结构的生长时间，提高了产率，降低了生产成本。制备出的结构可用于表面增强拉曼散射SERS衬底，大的比表面积和丰富的吸附点位使得可实现较强的SERS检测。

本发明授权一种制备β-Ga2O3纳米结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备β-Ga2O3纳米结构的方法，其特征在于，包括下列步骤： 步骤1：将Ga2O3粉末和石墨粉按质量比1:1混合； 步骤2：将Ga2O3粉末和石墨粉的混合粉末倒入装有二氧化锆球的球磨罐中，再加入乙醇形成混合溶液，之后放在轧辊式球磨机上进行球磨，球磨时间为24小时； 步骤3：将球磨后Ga2O3粉末、石墨粉和乙醇的混合溶液倒入平底玻璃圆盘中，并用锡纸封口置于通风干燥箱内进行烘干，烘干时间为24小时，使乙醇全部蒸发掉，得到干裂的Ga2O3粉末和石墨粉的块状混合物； 步骤4：将烘干过后的Ga2O3粉末和石墨粉的块状混合物放入研钵中混合酒精进行研磨得到混合粉末； 步骤5：将研磨过的Ga2O3粉末和石墨粉的混合粉末继续放在200目筛网中，过200目筛后得到混合精细粉； 步骤6：将Ga2O3粉末和石墨粉的混合粉末装入长条橡胶气球中压实、密封、抽真空，随后将密封气球放入等静液压机缸体中压制得到圆柱形粉料棒； 步骤7：将压制后的圆柱形粉料棒放入氧化铝方舟中在管式炉中进行预烧制，将温度设置为500℃，在空气气氛中加热1h； 步骤8：将圆柱形粉料棒固定于光学浮区炉中的旋转托架之上，调整旋转托架位置使其处于卤钨灯的光照区域，生长区域由石英管密封，上下锁紧螺口确保生长腔室密闭；向生长腔室通入流量为100mLminO2作为生长载气，其中卤钨灯的加热功率为900Wh，加热时间为1.5h； 步骤9：将生长的纳米结构冷却至室温。

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