深圳平湖实验室冯超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411731114.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备是由冯超;刘轩;吴钧烨设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决因体电子陷阱或界面态陷阱，导致的反偏问题和或动态电阻问题。半导体器件包括衬底、外延层、势垒层、栅极、帽层、源极、漏极和功能层。外延层和势垒层层叠设置于所述衬底之上，所述势垒层相比所述外延层远离所述衬底。栅极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。帽层位于所述势垒层和所述栅极之间。源极和漏极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，且分别位于所述栅极的相对两侧。功能层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。所述功能层和所述漏极位于所述栅极的同一侧，且所述功能层和所述漏极连接。所述功能层的厚度小于所述帽层的厚度。
本发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 层叠设置于所述衬底之上的外延层和势垒层，所述势垒层相比所述外延层远离所述衬底； 栅极，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧； 帽层，位于所述势垒层和所述栅极之间； 源极和漏极，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，且分别位于所述栅极的相对两侧； 功能层，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧；所述功能层和所述漏极位于所述栅极的同一侧，且所述功能层和所述漏极连接；所述功能层的厚度小于所述帽层的厚度；所述功能层的厚度小于或等于所述帽层的厚度与预设厚度之差，所述预设厚度为1纳米至6纳米。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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