广东省大湾区集成电路与系统应用研究院苗渊浩获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411868842.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管及其制造方法是由苗渊浩;亨利·H·阿达姆松;赵雪薇设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管及其制造方法，包括依次叠加的衬底层、缓冲层、N型磷化铟掺杂层、本征铟镓砷吸收层、N型铟镓砷磷轻掺杂渐变层、N型磷化铟轻掺杂电荷层、本征砷化铟量子点雪崩层和P型磷化铟轻掺杂接触层；本征砷化铟量子点雪崩层的量子点尺寸范围为2纳米到10纳米。本申请能够在减少过量噪声，提升器件的带宽的基础上，提高二极管的响应速度。
本发明授权一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化铟量子点单光子雪崩二极管，其特征在于，包括依次叠加的衬底层、缓冲层、N型磷化铟掺杂层、本征铟镓砷吸收层、N型铟镓砷磷轻掺杂渐变层、N型磷化铟轻掺杂电荷层、本征砷化铟量子点雪崩层和P型磷化铟轻掺杂接触层； 所述本征砷化铟量子点雪崩层的量子点尺寸范围为2纳米到10纳米； 所述衬底层、所述缓冲层和所述N型磷化铟掺杂层的长度均为第一预设长度； 所述本征铟镓砷吸收层、所述N型铟镓砷磷轻掺杂渐变层、所述N型磷化铟轻掺杂电荷层、所述本征砷化铟量子点雪崩层和所述P型磷化铟轻掺杂接触层的长度均为第二预设长度； 所述第一预设长度大于所述第二预设长度； 钝化层覆盖在所述N型磷化铟掺杂层和所述第二预设长度的台面上； N型电极穿过所述钝化层与所述N型磷化铟掺杂层连接； P型电极穿过所述钝化层与所述P型磷化铟轻掺杂接触层连接。
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