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龙图腾网获悉中国矿业大学申请的专利一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119578336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411707718.4，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统是由曹海洋;陈飞扬;陈裕东设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种GaNHEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统，包括Simulink模型实现模块、GUI界面设计以及系统实现模块；Simulink模型实现模块用于转换spice模型为Simscape模型、搭建寄生参数影响分析测试仿真电路和仿真数据计算；GUI界面设计包括参数输入部分、绘制曲线控制部分和图像绘制坐标轴图窗显示部分；系统实现模块用于选择GaN元件、调整寄生电感参数、绘制电压振荡曲线以及关闭窗口。本发明采用Simulink与GUI联合仿真，节省了开发成本，具有高预测精度和可视化优势，降低了工程师和开发人员的学术要求，易于上手，同时辅助分析和优化了电路设计，提高了产品性能和可靠性。

本发明授权一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统，其特征在于，包括Simulink模型实现模块、GUI界面设计以及系统实现模块； 所述Simulink模型实现模块用于转换spice模型为Simscape模型、搭建寄生参数影响分析测试仿真电路和仿真数据计算； 所述GUI界面设计包括参数输入部分、绘制曲线控制部分和图像绘制坐标轴图窗显示部分； 所述系统实现模块用于选择GaN元件、调整寄生电感参数、绘制电压振荡曲线以及关闭窗口； 转换spice模型为Simscape模型的具体方法如下： 步骤S11：获取spice模型；从GaNHEMT器件制造商处获得器件的spice模型网表文件； 步骤S12：使用subcircuit2ssc函数：利用MATLAB提供的subcircuit2ssc函数，将spice模型网表文件转换为Simscape元件模型的代码； 步骤S13：通过ssc_build函数将Simscape元件模型代码封装成为Simscape元件模型，并将该模型添加至Simulink自定义库中以便调用； 所述寄生参数影响分析测试仿真电路中的Simulink模型使用封装好的GaNHEMT元件Simscape模型进行搭建；所述Simulink模型分别使用8种不同GaNHEMT器件中的一种，其余部分电路相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国矿业大学，其通讯地址为：221100 江苏省徐州市大学路中国矿业大学电气工程学院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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