电子科技大学孙胜获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种附加金属背衬的涂敷蜂窝阵列电磁参数等效方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119580898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411725409.X,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权一种附加金属背衬的涂敷蜂窝阵列电磁参数等效方法是由孙胜;何凡召;陈佩瑶;陈竞娴;胡俊;郭宇设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种附加金属背衬的涂敷蜂窝阵列电磁参数等效方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种附加金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列的电磁参数等效方法,涉及计算电磁领域。该方法包含:S1.构建单元模型并提取S参数;S2.构建TE、TM两种极化波下反射系数S11和输入阻抗Zin的关系式,计算输入阻抗;S3.反演得到各向异性等效介电常数和磁导率;S4.进行相位补偿,得到修正的各向异性等效介电常数和磁导率,完成附加有金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列的各向异性等效电磁模型。本发明方法将涂敷型蜂窝复合材料等效为各向异性均匀介质,并且在多角度、宽频带、多极化下均具有良好精度。
本发明授权一种附加金属背衬的涂敷蜂窝阵列电磁参数等效方法在权利要求书中公布了:1.一种附加金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列的电磁参数等效方法,其特征在于,包含以下步骤: S1.构建附加有金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列的单元仿真模型并提取S参数; S2.构建附加金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列在TE、TM两种极化波下反射系数S11和输入阻抗Zin的关系式: 其中,θi表示电磁波入射角度; 将步骤S1中得到的S参数带入公式1中,得到TE、TM两种极化波垂直入射和斜入射下的输入阻抗 S3.将步骤S1得到的TE、TM两种极化波下的输入阻抗Zin带入公式2中,反演得到蜂窝复合材料阵列的各向异性等效介电常数和磁导率: 其中,εx、εy、εz分别表示全局坐标系下x、y、z方向上的各向异性等效介电常数,μx、μy、μz分别表示全局坐标系下x、y、z方向上的磁导率,k0为真空中波矢量,j为虚数基本单位; S4.将公式2得到的各向异性电磁参数带入公式3中,得到TE、TM极化波垂直入射和斜入射下的4个传输系数: 其中,TTE、TTM分别代表TE、TM极化波下的传输系数,分别代表TTE、TTM的相位辐角,m、n为相位补偿系数; 在传输系数相位突变时进行相位补偿,使得垂直入射和斜入射下的传输系数TTE、TTM相位随频率单调递减,以保证传输系数相位的连续性; 然后将公式3中相位补偿后的TTE、TTM指数项联立并求解方程组,最终得到修正的各向异性等效介电常数εx、εy、εz,磁导率μx、μy、μz,完成附加有金属背衬的涂敷型蜂窝复合材料阵列的各向异性等效电磁模型。
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