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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311161018.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由王文奇;李相惇;康卜文设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供初始结构，初始结构包括多个第一半导体柱；形成多个第二半导体柱，多个第二半导体柱沿第一方向排成多列，第二半导体柱和第一半导体柱相连，第二半导体柱包括沿远离第一半导体柱的方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域；形成字线，字线沿第一方向延伸并包覆沿第一方向排列的一列第二半导体柱的第二区域的侧壁；形成牺牲层，牺牲层沿第一方向在相邻的字线之间延伸，牺牲层至少填充相邻的字线之间的部分空间；形成顶部绝缘层覆盖牺牲层并填充相邻的两列第二半导体柱之间未被填充的空间；去除牺牲层，在牺牲层被去除的位置形成空气层，以降低相邻的字线之间的寄生电容。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供初始结构，所述初始结构包括多个第一半导体柱，多个所述第一半导体柱沿第一方向排成多列； 形成多个第二半导体柱，多个所述第二半导体柱沿所述第一方向排成多列，每个所述第二半导体柱对应设置在每个所述第一半导体柱上和所述第一半导体柱相连，所述第二半导体柱包括沿远离所述第一半导体柱的方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域； 形成字线，所述字线沿所述第一方向延伸，所述字线包覆沿所述第一方向排列的一列所述第二半导体柱的所述第二区域的侧壁； 形成牺牲层，所述牺牲层沿所述第一方向在相邻的所述字线之间延伸，所述牺牲层至少填充相邻的所述字线之间的部分空间； 形成顶部绝缘层，所述顶部绝缘层覆盖所述牺牲层的顶面并填充沿所述第一方向排列的相邻的两列所述第二半导体柱之间未被填充的空间； 去除所述牺牲层，在所述牺牲层被去除的位置形成空气层。

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