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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储块布局结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311144237.2，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权存储块布局结构及存储器是由司书芳设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储块布局结构及存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构设计领域，特别涉及一种存储块布局结构及存储器，存储块布局结构包括：多个存储阵列布局结构，多个存储阵列布局结构在第一方向上排列，且在第二方向上连续设置构成存储块布局结构；其中，每一存储阵列布局结构用于形成存储块中的存储阵列，第一方向和第二方向相互垂直；存储阵列布局结构被配置为，基于第三方向和第四方向设置的平行四边形区域；其中，第二方向和第四方向之间的夹角α＜90°，第三方向和第四方向之间的夹角0＜β＜90°；每一存储阵列布局结构中设置有多条字线和多条位线，多条字线和多条位线中，其中一者于第三方向上间隔排布且于第四方向上延伸，另一者于第四方向上间隔排布且于第三方向上延伸。

本发明授权存储块布局结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储块布局结构，用于形成存储器中的存储块，其特征在于，包括： 沿第一方向排列以及沿第二方向连续设置的多个存储阵列布局结构，沿所述第一方向排列的相邻所述存储阵列布局结构在所述第二方向上的位置相同；其中，每一所述存储阵列布局结构用于形成所述存储块中的存储阵列，所述第一方向和所述第二方向相互垂直； 所述存储阵列布局结构被配置为，基于第三方向和第四方向设置的平行四边形区域；其中，所述第二方向和所述第四方向之间的夹角α＜90°，所述第三方向和所述第四方向之间的夹角0＜β＜90°； 每一所述存储阵列布局结构中设置有多条字线和多条位线，所述多条字线和所述多条位线中，其中一者于所述第三方向上间隔排布且于所述第四方向上延伸，另一者于所述第四方向上间隔排布且于所述第三方向上延伸； 在沿所述第一方向排列的相邻所述存储阵列布局结构之间还包括： 多条补充字线结构； 每一所述补充字线结构被配置为，连接两侧所述存储阵列布局结构中的一条字线，并通过导电节点耦接至所述存储器的字线驱动器； 其中，所述导电节点设置于所述补充字线结构上。

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