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龙图腾网获悉上海美维科技有限公司申请的专利一种封装基板结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311178269.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种封装基板结构及其制备方法是由刘青林;汤加苗;付海涛设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装基板结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装基板结构及其制备方法，制备方法包括：于芯板层的上下表面分别设置图形导电层，于图形导电层上设置介质增层，于介质增层上设置硅基中间层增层，于形成结构的上下表面均设置图形化的阻焊层以引出导电连接。本发明通过在封装基板的介质增层上设置硅基中间层，利用硅基中间层在介质增层上的高平整性和低延展性，降低封装基板的翘曲问题，提高封装基板的板面平整性；同时，硅基中间层介电常数和介质损耗因子较低，可以提高封装基板的性能；另外，通过硅基中间层可制作更精细的线路的特点，实现更高密度集成的封装基板结构；最后，通过两层硅基中间层包裹中间导电层进一步提高封装基板性能。

本发明授权一种封装基板结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一芯板，所述芯板包括相对设置的上表面和下表面，所述上表面和所述下表面均设置有第一导电层，所述芯板与所述第一导电层构成芯板层； 于所述芯板层设置通槽； 于设置所述通槽后的所述芯板层显露出的表面覆盖第一种子导电层，于所述第一种子导电层的表面覆盖第二导电层； 于所述通槽填充填充层，所述填充层填充所述第二导电层位于所述通槽内的空隙并覆盖所述第二导电层的表面； 于所述填充层的表面设置第三导电层； 于所述第三导电层的表面设置图形化的第一掩膜层，显露出部分下方的所述第三导电层； 刻蚀显露出的所述第三导电层及所述第三导电层下方的所述填充层、所述第二导电层、所述第一种子导电层和所述第一导电层，显露出部分所述芯板； 去除所述第一掩膜层，显露出下方的所述第三导电层，所述第三导电层、所述填充层、所述第二导电层、所述第一种子导电层和所述第一导电层构成的图形导电层； 于所述第三导电层的表面设置基板介质层，所述基板介质层填充被刻蚀后的所述图形导电层的空隙并覆盖其表面； 于所述基板介质层的表面设置介电增层； 于所述介电增层上设置硅基中间层增层； 于至此形成的封装基板结构的上表面和下表面均设置图形化的外镀层，所述外镀层与至此形成的封装基板结构预设进行导电连接的部分形成导电连接部； 于所述外镀层上覆盖图形化的阻焊层，所述阻焊层填充图形化的所述外镀层之间的空隙并显露出所述外镀层预设引出的导电连接部。

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