北京卫星环境工程研究所刘楚彦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京卫星环境工程研究所申请的专利真空标准漏孔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794922.4，技术领域涉及：G01M3/20；该发明授权真空标准漏孔是由刘楚彦;孟冬辉;刘招贤;任国华;孙立臣;韩琰;汪力;闫荣鑫设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空标准漏孔在说明书摘要公布了：本发明涉及真空标准漏孔技术领域，尤其涉及一种真空标准漏孔，包括上连接件、下连接件、挡片、上铟圈、下铟圈和铟块，从进气口流入的氦气或其他示漏气体依次经上铟环的内壁、上铟环的内部、上铟环的底面、铟块的顶端面、铟块的底端面、下铟环的顶面、下铟环的内部及下铟环的内壁后，从出气口流出。整体上，借助上铟环、铟块和下铟环构建示漏气体的微量渗透通道，相较于示漏气体直接沿着渗透膜所在面的垂直方向进行渗透的方式，大大地延长了进行微量渗透的路径，同时，可使部分流入渗透通道内的示漏气体扩散至大气中进行损耗。
本发明授权真空标准漏孔在权利要求书中公布了：1.一种真空标准漏孔，其特征在于，包括： 上连接件，形成有进气口，底面形成有上容置槽； 下连接件，形成有出气口；所述出气口与所述进气口正对设置；所述下连接件的顶面形成有下容置槽；所述下连接件与所述上连接件连接； 挡片，安装于所述上连接件和所述下连接件之间，以隔离所述进气口与所述出气口；所述挡片上形成有流经孔； 上铟圈，嵌设于所述上容置槽内，底端形成有上铟环； 下铟圈，嵌设于所述下容置槽内，顶端形成有下铟环； 铟块，嵌设于所述流经孔内； 从所述进气口流入的氦气依次经所述上铟环的内壁、所述上铟环的内部、所述上铟环的底面、所述铟块、所述下铟环的顶面、所述下铟环的内部及所述下铟环的内壁后，从所述出气口流出。
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