北京卫星环境工程研究所代佳龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京卫星环境工程研究所申请的专利可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411714551.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法与装置是由代佳龙;黄魁;张绍华;郭占平;肖琦;陈金刚;易忠;唐小金;彭忠;李娜设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法与装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法与装置，属于磁场控制技术领域，方法包括确定目标磁感应强度和目标均匀区长度；基于预先构建的均匀区长度与中心磁场强度的二维分布函数，利用插值法或查表法，确定目标磁感应强度和目标均匀区长度对应的低漏磁励磁线圈的尺寸参数；基于尺寸参数和低漏磁励磁线圈的磁矩为零条件，确定低漏磁励磁线圈的内外匝数之比；基于需求的目标磁感应强度和目标均匀区长度，设计的低漏磁励磁线圈，系统对外呈低漏磁状态，降低对周围设备磁干扰，有效提升测量精度。
本发明授权可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种可产生高均匀磁场的低漏磁励磁线圈设计方法，其特征在于，包括： 确定目标磁感应强度和目标均匀区长度； 基于预先构建的均匀区长度与中心磁场强度的二维分布函数，利用插值法或查表法，确定所述目标磁感应强度和所述目标均匀区长度对应的低漏磁励磁线圈的尺寸参数； 基于所述尺寸参数和所述低漏磁励磁线圈的磁矩为零条件，确定所述低漏磁励磁线圈的内外匝数之比； 所述低漏磁励磁线圈包括第一组1、2和第二组3、4，所述磁矩为零条件为： N34＝krN12； 其中，N12和N34分别为第一组线圈1、2和第二组线圈3、4的匝数，r12和r34分别是第一组线圈1、2和第二组线圈3、4的半径；d12和d34分别是第一组线圈1、2和第二组线圈3、4的厚度；径向积分变量h是线圈内径到积分点沿着径向的高度；d12和d34等于线圈绕制层数乘以漆包线的直径。
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