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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726740.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备是由叶雪荣;郭子剑;王辰一;冯超;林轩羽;田济羽;陈昊;陈岑;翟国富设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备在说明书摘要公布了：MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。

本发明授权MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法，其特征在于，包括： 步骤S1、结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型，即反映MOS场效应管失效物理模型系数集合与关键参数集合之间的复相关性模型；关键参数包括材料、结构、工艺参数；根据计算结果对复相关系数进行排序，选取前多个参数为影响失效物理模型系数的关键参数记为构建不同候选源领域复相关模型的过程包括以下步骤： 步骤S11、分析MOS场效应管制造过程确定关键参数集合选取[Tox,W,L,Nch,Nsub]，其中，Tox为栅氧化层厚度，W为沟道宽度，L为沟道长度，Nch为沟道掺杂浓度，Nsub为衬底掺杂浓度； 步骤S12、根据步骤S11得到的关键参数和对应的失效物理模型系数构建关键参数与失效物理模型系数的复相关性模型，如公式1和2所示： 式中，是复相关模型系数集合，P表示模型系数实际值，针对源领域P对应中的系数，模型系数实际值；表示模型系数平均值；R表示复相关系数，取值范围是[0,1]，复相关系数越大，表明关键参数与失效物理模型系数相关程度越密切； 步骤S13、根据计算结果对复相关系数进行排序，选取前skn个参数为影响失效物理模型系数的关键参数，根据计算结果选取的关键参数记为关键参数为[Tox,W,L]； 步骤S2、根据步骤S1的复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则： 式中，Z为相似度序数，rank表示排名函数；表示第k个候选源领域与目标领域的距离均值，表示第k个候选源领域与目标领域的距离方差； 步骤S3、针对候选源领域，以候选源领域中关键参数作为输入，受其影响的失效物理模型系数作为输出，建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型； 步骤S4、根据步骤S2可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。

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