武汉华星光电技术有限公司艾飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311141557.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管和电子器件是由艾飞;李壮设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管和电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜晶体管和电子器件；该薄膜晶体管通过使有效部设置于阻挡层的侧壁上，且第一连接部和第二连接部分别与位于阻挡层上下的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层接触，可以通过阻挡层的厚度和角度控制沟道长度，利用现有工艺减小沟道长度，减小薄膜晶体管的体积，提高迁移率；且通过使第二电极穿过沟道层与第二欧姆接触层接触，使得即使第二欧姆接触层被过刻蚀，第二电极仍然能够与第二欧姆接触层正常工作；和或使第一电极穿过阻挡层与第一欧姆接触层接触，或者第一电极穿过沟道层与第一欧姆接触层接触，使得即使第一欧姆接触层被过刻蚀，第一电极仍然能够与第一欧姆接触层正常工作，提高显示面板的良率，减小薄膜晶体管的尺寸。
本发明授权薄膜晶体管和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 第一欧姆接触层，设置于所述衬底一侧； 阻挡层，设置于所述第一欧姆接触层远离所述衬底的一侧，所述阻挡层包括至少一个侧壁； 第二欧姆接触层，设置于所述阻挡层远离所述第一欧姆接触层的一侧； 沟道层，包括第一连接部、第二连接部和位于所述侧壁的有效部，所述第一连接部与所述第一欧姆接触层接触，所述第二连接部设置于所述第二欧姆接触层上； 栅极绝缘层，设置于所述沟道层远离所述第二欧姆接触层的一侧； 栅极层，设置于所述栅极绝缘层远离所述沟道层的一侧，所述栅极层在垂直所述衬底方向上的正投影覆盖所述有效部； 层间绝缘层，设置于所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一侧； 源漏极层，设置于所述层间绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述源漏极层包括第一电极和第二电极； 其中，所述第一连接部设置于所述第一欧姆接触层上，所述第一电极穿过所述沟道层与所述第一欧姆接触层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励