Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 电子科技大学白赛获国家专利权

电子科技大学白赛获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种窄谱带蓝光ZnSe/ZnS量子点材料的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119662257B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411835141.5,技术领域涉及:C09K11/88;该发明授权一种窄谱带蓝光ZnSe/ZnS量子点材料的制备方法是由白赛;杨磊;杨勇;赵海峰设计研发完成,并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种窄谱带蓝光ZnSe/ZnS量子点材料的制备方法在说明书摘要公布了:一种窄谱带蓝光ZnSeZnS量子点材料的制备方法,属于发光材料技术领域。包括:1在锌盐溶液中加入第一配体,配制第一前驱体溶液;2配制第二、第三和第四前驱体溶液;3在第一前驱体溶液中加入第二配体溶液,搅拌反应后,升温,加入第二前驱体溶液,继续搅拌反应;4向反应液中同时注入第一和第三前驱体溶液,以及第一配体;5向反应液中同时注入第一和第四前驱体溶液,反应完成后,冷却,分离。本发明在第一前驱体溶液中加入羧酸,利用羧酸与量子点表面结合来限制量子点的过度长大,使量子点的尺寸分布减小,量子点发射谱带变窄;在外延生长中加入羧酸,在减小量子点尺寸分布的同时,进一步修饰材料的表面缺陷,抑制缺陷导致的能量猝灭,提高量子点的光电性能。

本发明授权一种窄谱带蓝光ZnSe/ZnS量子点材料的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种窄谱带蓝光ZnSeZnS量子点材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1.在保护气体环境下,配制浓度为0.2~0.5mmolmL的锌盐溶液,然后在锌盐溶液中加入第一配体,并在真空下加热至120℃,搅拌至无气泡产生,得到第一前驱体溶液; 步骤2.在保护气体环境下,配制浓度为0.2~0.4mmolmL的第二前驱体溶液、浓度为1~2mmolmL的第三前驱体溶液和浓度为1~3mmolmL的第四前驱体溶液; 步骤3.在保护气体环境下,在第一前驱体溶液中加入浓度为0.2~1mmolmL的第二配体溶液,真空下加热至100~120℃,搅拌反应20~40min,其中第一前驱体溶液和第二配体溶液的体积比为1:2~4;然后升温至290~310℃,向反应溶液中加入第二前驱体溶液,搅拌反应30min,成核完成,其中加入的第二前驱体溶液与第一前驱体溶液的体积比为10~20:1; 步骤4.在保护气体环境下,向步骤3得到的反应液中同时注入第一前驱体溶液和第三前驱体溶液,并每隔20min注入0.1~0.3mL第一配体,进行外延生长,其中第一前驱体溶液的注入速度为0.5~1mLh,第三前驱体溶液的注入速度为0.1~0.2mLh;在注射过程中抽取反应液体,并测试发光中心位置,当发光中心到达460nm时,停止注射,保温反应30min; 步骤5.在保护气体环境下,向步骤4得到的反应液中同时注入第一前驱体溶液和第四前驱体溶液,进行包壳生长,其中第一前驱体溶液的注入速度为0.5~1mLh,第四前驱体溶液的注入速度为0.1~0.2mLh;持续注射1h后,停止注射,反应30min后,自然冷却至室温,分离,得到ZnSeZnS量子点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。