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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119667976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093010.2，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器及制备方法是由瞿俊伶;甘雪涛;刘鹏;刘亚平;朱哲凯;金玉鹏设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成光电子技术领域，公开了一种基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器及制备方法，包括：波导包层；硅波导层，设置在波导包层上方；所述硅波导层的两端设置用于光信号的输入与输出的光耦合器；介电层，覆盖的设置在硅波导层上方；胶体纳米晶层，设置在介电层上方；上电极层，设置在胶体纳米晶层上方；下电极层，与硅波导层连通；所述介电层用于根据外加电压改变极化状态并通过极化状态控制胶体纳米晶层和硅波导层中的感应电荷浓度。胶体纳米晶的室温液相加工工序简单，且与硅基CMOS工艺完全兼容，可以进行低成本、大规模集成；胶体纳米晶具有强于硅材料的等离子色散效应，且易于实现ENZ效应，可以实现高调制效率、高调制深度。

本发明授权基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于胶体纳米晶的MOS型硅基片上电光调制器，其特征在于，包括： 波导包层6； 硅波导层4，设置在波导包层6上方；所述硅波导层4的两端设置用于光信号的输入与输出的光耦合器7； 介电层3，覆盖的设置在硅波导层4上方； 氧化物半导体胶体纳米晶层2，设置在介电层3上方； 上电极层1，设置在氧化物半导体胶体纳米晶层2上方； 下电极层5，设置在波导包层6上方，与硅波导层4连通； 所述介电层3用于根据外加电压改变极化状态并通过极化状态控制氧化物半导体胶体纳米晶层2和硅波导层4中的感应电荷浓度； 所述氧化物半导体胶体纳米晶为：氧化铟胶体纳米晶、氧化铟锡胶体纳米晶、氧化锌胶体纳米晶、掺铝氧化锌胶体纳米晶或氧化镉胶体纳米晶； 所述硅波导层4为p型掺杂的硅波导；所述氧化物半导体胶体纳米晶为n型掺杂的氧化物半导体胶体纳米晶；所述氧化物半导体胶体纳米晶层2经过表面配体交换处理。

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