浙江优众新材料科技有限公司居法银获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江优众新材料科技有限公司申请的专利一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120468979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510905194.8，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统是由居法银;李宁设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统，涉及微纳光学器件制造技术领域。硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法包括如下步骤：基于刻蚀矢高和目标底径的深宽比与深宽比阈值的大小进行双模式掩膜补偿；深宽比小于或等于深宽比阈值基于线性补偿计算掩膜设计底径；深宽比大于深宽比阈值基于指数修正计算掩膜设计底径；基于当前时刻的深宽比调节对应的气体配比以降低侧蚀突变；控制单元同步控制脉冲偏置与硅片台温度进而优化刻蚀过程中的热管理；控制单元调节脉冲偏置参数以最小化热输入；控制单元基于温控模块控制硅片台温度减少光刻胶的热变形。通过深宽比阈值的双模式掩膜补偿，精确调整掩膜设计底径，减少侧蚀的影响。
本发明授权一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 基于刻蚀矢高和目标底径的深宽比与深宽比阈值的大小进行双模式掩膜补偿；所述深宽比小于或等于所述深宽比阈值时，基于线性补偿计算掩膜设计底径；所述线性补偿计算掩膜设计底径基于如下公式实现： ； 所述深宽比大于所述深宽比阈值时，基于指数修正计算掩膜设计底径；所述指数修正计算掩膜设计底径基于如下公式实现： ； 其中，为掩膜设计底径，为目标底径，为刻蚀矢高，为线性比例系数，为幂次项的指数，为指数比例系数，为衰减常数，AR为深宽比，; 基于当前时刻的深宽比调节对应的气体配比以降低侧蚀突变；所述气体为、和; 控制单元同步控制脉冲偏置与硅片台温度进而优化刻蚀过程中的热管理；所述控制单元调节脉冲偏置功率、占空比和频率以最小化热输入；所述控制单元基于温控模块控制所述硅片台温度减少光刻胶的热变形。
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