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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511114152.9，技术领域涉及：H10H29/855；该发明授权原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法是由王珍;谢欣宇;王立;方芳;全知觉;唐文斌设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位化合物同质透镜Micro‑LED器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，通过材料自然生长制备出原位化合物同质透镜，其生长表面天然形成低粗糙度纹理，能够显著减少表面光散射损失；并且通过调节原位化合物同质透镜的生长参数，能够原位形成理想光学曲面，实现对出光方向的精准调控；以及整个光路完全在单一化合物半导体材料的内部传播，不存在半导体材料到其它透镜材料的界面，彻底消除了因折射率失配造成的界面全反射损失；因此，本发明的原位化合物同质透镜通过直接生长，无需额外掩模、刻蚀或抛光步骤，大幅简化了制备工艺并降低成本，且同一批次内原位化合物同质透镜的形貌和光学特性高度一致，适合晶圆级批量生产。

本发明授权原位化合物同质透镜Micro-LED器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位化合物同质透镜Micro-LED器件，所述器件包括： 电子驱动模组，包括驱动基板及驱动电路金属层； 发光模组，包括芯片金属层、化合物半导体层、原位化合物同质透镜，以及N极电子扩展层； 其特征在于： 所述驱动电路金属层包括共阴电极金属层与独立的阳极金属凸点阵列单元，所述化合物半导体层由下至上包括P型半导体层、有源层与N型半导体层，所述P型半导体层远离所述有源层的一侧表面通过所述芯片金属层与所述驱动电路金属层连接，所述N型半导体层远离所述有源层的一侧表面设有第一台面与第二台面，且所述第一台面与所述第二台面之间存在高度差； 其中，所述原位化合物同质透镜与所述化合物半导体层的主基材相同，所述原位化合物同质透镜将所述化合物半导体层包裹覆盖，且于所述第二台面之上开设有扩展通孔以暴露出所述N型半导体层，所述N极电子扩展层通过所述扩展通孔于所述第二台面内与所述N型半导体层接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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