纳晶科技股份有限公司高远获国家专利权
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龙图腾网获悉纳晶科技股份有限公司申请的专利一种ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109628082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811295711.0，技术领域涉及：C09K11/56；该发明授权一种ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件是由高远;谢松均设计研发完成，并于2018-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件在说明书摘要公布了：本发明公开了ZnOSZnO纳米晶及其制备方法、发光器件。其中，ZnOSZnO纳米晶，包括ZnOS核以及包覆于上述ZnOS核表面的ZnO壳层。本发明通过对ZnO纳米晶进行一定程度的硫化，然后在ZnOS核外包括ZnO壳层，得到尺寸较大的ZnOSZnO纳米晶，其稳定性好，不易聚沉、熟化，此外由于ZnOS核中的S可以起到调节能带的作用，从而更易获得宽禁带的纳米晶。
本发明授权一种ZnOS/ZnO纳米晶及其制备方法、发光器件在权利要求书中公布了：1.一种ZnOSZnO纳米晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，提供ZnO纳米晶； S2，将所述ZnO纳米晶分散于溶剂中，然后加入硫源，反应得到ZnOS核溶液，其中，所述溶剂选自以下一种或多种：二甲基亚砜、甲醇、乙醇、N，N-二甲基甲酰胺；所述步骤S2的所述ZnO纳米晶与所述硫源的摩尔比为10-6:0.05～1；所述步骤S2的所述硫源与所述步骤S3的所述锌源的摩尔比为0.1～0.8:1；所述步骤S2中的所述硫源选自以下一种或多种：硫化铵、硫化钠、碳链长度为2～6的硫醇、碳链长度为2～6的巯基羧酸； S3，向所述ZnOS核溶液中加入锌源，使所述锌源吸附于所述ZnOS核表面上与S反应一段时间后再加入碱性物质，反应后得到ZnOSZnO纳米晶。
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