德克萨斯仪器股份有限公司C·H·陈获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利半导体锯切方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110620046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910529950.6，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体锯切方法和系统是由C·H·陈;T·M·田;H·Y·王设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体锯切方法和系统在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体锯切方法和系统。在一个实例中，一种制造集成电路的方法包括用于将半导体晶圆302切块的方法，该方法包括将半导体晶圆302设置在可移动切割台312上，切割半导体晶圆302，以及至少在切割半导体晶圆302期间，喷射清洁流体320通过半导体晶圆302的暴露侧318，其中清洁流体320完全覆盖半导体晶圆302。喷射清洁流体302被喷射以形成流体层或膜，其从半导体晶圆302的暴露侧318清除或减少其他流体。还呈现了其他方面。
本发明授权半导体锯切方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路的方法，所述方法包括： 锯切半导体晶圆，其包括： 提供切割台， 将所述半导体晶圆固定在锯切位置中， 将旋转锯切刀片施加到被固定在所述锯切位置中的所述晶圆，以将所述晶圆切割成分离的多个管芯， 在靠近所述旋转锯切刀片接触所述半导体晶圆的位置，将用于冷却的第一流体施加到所述半导体晶圆， 将第二流体施加到所述半导体晶圆的基本上全部的暴露侧；并且 其中，施加第二流体包括使用靠近所述切割台并耦合到所述切割台的流体喷射器元件，并且其中当所述半导体晶圆安装在所述锯切位置中时，所述流体喷射器元件定位在所述半导体晶圆的边缘附近，以喷射所述第二流体通过所述半导体晶圆的基本上全部的所述暴露侧，并基本上平行于所述暴露侧； 将所述多个管芯附接到多个引线框架； 将所述多个管芯中的每个管芯互连到所述多个引线框架的对应引线框架；以及 在所述引线框架上的任何管芯的至少一部分上和所述引线框架的至少一部分上对每个引线框架施加模塑化合物。
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