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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利一种多芯片测试装置及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111722091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010779327.9，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种多芯片测试装置及测试方法是由林仲康;石浩;张喆设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片测试装置及测试方法在说明书摘要公布了：一种多芯片测试装置及测试方法，其中，多芯片测试装置包括：多个并联排布的测试子单元；各个所述测试子单元包括：第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第二测试电极适于分别与待测的半导体芯片单元电学连接，所述第一测试电极能为所述半导体芯片单元提供压力；电流采集器，所述电流采集器适于获取所述第一测试电极或所述第二测试电极中通过的测试电流。所述多芯片测试装置能够提高测试精度和测试效率。

本发明授权一种多芯片测试装置及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片测试装置，其特征在于，包括： 多个并联排布的测试子单元； 各个所述测试子单元包括：第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第二测试电极适于分别与待测的半导体芯片单元电学连接，所述第一测试电极适于连接压力机，以为所述半导体芯片单元提供可调的压力；电流采集器，所述电流采集器适于在施加压力和施加电压信号的情况下，获取所述第一测试电极或所述第二测试电极中通过的测试电流；半导体芯片，所述半导体芯片具有相对的第一面和第二面，所述半导体芯片的第一面设置有第一芯片电极连接层和第三芯片电极连接层，所述第三芯片电极连接层与所述第一芯片电极连接层分立，所述半导体芯片的第二面设置有第二芯片电极连接层；所述第一测试电极适于朝向所述第一面且与所述第一芯片电极连接层电学连接，所述第二测试电极适于朝向所述第二面且与所述第二芯片电极连接层电学连接；控制回路电极，所述控制回路电极的一端与所述第三芯片电极连接层连接，另一端与控制电路板电学连接，所述控制电路板用于提供控制信号；相对设置的第一导电垫片和第二导电垫片，所述半导体芯片位于所述第一导电垫片和第二导电垫片之间；所述第一导电垫片与所述第一芯片电极连接层接触，所述第二导电垫片与所述第二芯片电极连接层接触，所述第一测试电极适于与所述第一导电垫片连接，所述第二测试电极适于与所述第二导电垫片连接； 导电基板，所述测试子单元分别与所述导电基板固定； 加热装置，所述加热装置位于所述导电基板的底部并与所述导电基板接触，所述加热装置用于为所述半导体芯片单元提供热环境；所述加热装置为传热线路板，所述传热线路板中均匀分布有传热电阻丝。

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