英飞凌科技股份有限公司A·赫恩获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体模块装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111900135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010371904.0,技术领域涉及:H01L23/049;该发明授权功率半导体模块装置是由A·赫恩设计研发完成,并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块装置在说明书摘要公布了:本发明公开了功率半导体模块装置,其包括:布置在外壳中的半导体衬底,其中,至少一个半导体主体布置在半导体衬底的上表面上;以及安装装置,包括框架或主体以及耦合到框架或主体的至少一个端子元件。安装装置插入并且耦合到外壳。安装装置包括下表面,当安装装置插入并且耦合到外壳时,下表面停留在外壳的至少一个接触表面上。当安装装置插入并且耦合到外壳时,至少一个端子元件中的每一个用第一端部机械接触和电接触半导体衬底。当安装装置插入并且耦合到外壳时,半导体衬底的上表面与至少一个接触表面之间在垂直方向上的距离等于第一端部在半导体衬底的上表面与安装装置的下表面之间的长度,其中,垂直方向是垂直于半导体衬底的上表面的方向。
本发明授权功率半导体模块装置在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体模块装置300,包括: 半导体衬底310,所述半导体衬底310布置在外壳37中,其中,至少一个半导体主体320布置在所述半导体衬底310的上表面上;以及 单个安装装置40,所述安装装置40包括框架或主体41、以及耦合到所述框架或主体41的仅一个端子元件34,所述端子元件34包括多个单独的第一端部342和多个单独的第二端部341,其中, 所述安装装置40插入并且耦合到所述外壳37, 所述安装装置40包括下表面412,当所述安装装置40插入并且耦合到所述外壳37时,所述下表面412停留在所述外壳37的至少一个接触表面371上, 当所述安装装置40插入并且耦合到所述外壳37时,所述端子元件34用所述第一端部342机械接触和电接触所述半导体衬底310,并且所述第二端部341在平行于所述半导体衬底310的所述上表面的水平方向x上延伸, 当所述安装装置40插入并且耦合到所述外壳37时,所述半导体衬底310的上表面与所述至少一个接触表面371之间在垂直方向y上的距离d1等于所述第一端部342在所述半导体衬底310的所述上表面与所述安装装置40的所述下表面412之间的长度d2,其中,所述垂直方向y是垂直于所述半导体衬底310的所述上表面的方向, 第一接触表面371形成在所述外壳37的第一侧壁处,并且第二接触表面371形成在所述外壳37的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上,并且 当所述安装装置40插入到所述外壳37中时,所述安装装置40停留在所述第一接触表面371和所述第二接触表面371上,其中,所述第一接触表面371和所述第二接触表面371的相对于所述半导体衬底310的下表面的高度能够改变,以使所述安装装置40适应不同的半导体衬底厚度。
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