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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111951872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010268069.8，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法是由柳睿信;金泰元;吴伦娜设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储设备包括存储单元阵列、位线开关、块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的存储块，并且存储块中的每个包括存储单元。位线开关连接在第一存储块的第一半局部输入输出IO线与第一存储块的第二半局部IO线之间。块开关连接在第一存储块的第二半局部IO线和与第一存储块相邻的第二存储块的第一半局部IO线之间。列译码器包括修复电路，该修复电路通过向位线开关施加第一开关控制信号和向块开关施加第二开关控制信号来控制连接。

本发明授权半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储设备，包括： 存储单元阵列，包括耦合到至少一个字线的多个存储块，其中，所述多个存储块中的每个包括多个动态存储单元； 至少一个位线开关，连接在所述多个存储块中的第一存储块的第一半局部输入输出IO线与所述第一存储块的第二半局部IO线之间，其中，所述第一存储块的第一半局部IO线连接到所述第一存储块的多个位线中的第一组位线，并且所述第一存储块的第二半局部IO线连接到多个位线中的第二组位线； 至少一个块开关，连接在第一存储块的第二半局部IO线与多个存储块当中的第二存储块的第一半局部IO线之间，其中，第一存储块和第二存储块彼此相邻；以及 列译码器，包括修复电路，其中，修复电路被配置为通过向至少一个位线开关施加第一开关控制信号来控制第一存储块的第一半局部IO线与第一存储块的第二半局部IO线之间的连接，并且被配置为通过向至少一个块开关施加第二开关控制信号来控制第一存储块的第二半局部IO线与第二存储块的第一半局部IO线之间的连接， 其中， 所述第一组位线包括至少第一备用位线，所述第一备用位线耦合到所述多个动态存储单元当中的第一备用单元， 所述第二组位线包括至少第二备用位线，所述第二备用位线耦合到所述多个动态存储单元当中的第二备用单元， 所述第一组位线通过第一位线读出放大器连接到所述第一存储块的第一半局部IO线，并且 所述第二组位线通过第二位线读出放大器连接到所述第一存储块的第二半局部IO线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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