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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利单光子雪崩二极管(SPAD)微单元阵列及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111983589B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010443325.2，技术领域涉及：G01S7/4863；该发明授权单光子雪崩二极管(SPAD)微单元阵列及其操作方法是由M·E·亨内克;B·基里洛夫;T·图尔纳设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本单光子雪崩二极管(SPAD)微单元阵列及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例总体上涉及单光子雪崩二极管SPAD微单元阵列及其操作方法。一种数字光检测器，包括时钟信号发生器，其被配置为生成时钟信号，该时钟信号由以预先确定的频率生成的时钟脉冲组成；单光子雪崩二极管SPAD，其被配置为响应于接收到光子而接通并且生成雪崩电流，该SPAD包括内部耦合在阳极端子与阴极端子之间的内部电容器；以及主动抑制‑再充电电路，其由时钟信号触发。该主动抑制‑再充电电路被配置为基于时钟信号而被激活和停用，其中主动抑制‑再充电电路被配置为在激活主动抑制‑再充电电路的条件下，为内部电容器再充电，并且其中主动抑制‑再充电电路被配置为在停用主动抑制‑再充电电路的条件下，使内部电容器放电。

本发明授权单光子雪崩二极管(SPAD)微单元阵列及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种数字光检测器，包括： 时钟信号发生器，其被配置为生成时钟信号，所述时钟信号由以预先确定的频率生成的时钟脉冲组成； 单光子雪崩二极管SPAD，其被配置为响应于接收到光子而接通并且生成雪崩电流，所述SPAD包括阳极端子、阴极端子、以及内部耦合在所述阳极端子与所述阴极端子之间的内部电容器； 主动抑制-再充电电路，其包括输出节点并且由所述时钟信号触发，其中所述主动抑制-再充电电路被配置为： 基于所述时钟信号而被激活和停用； 在激活所述主动抑制-再充电电路的条件下，为所述内部电容器再充电；以及 在停用所述主动抑制-再充电电路的条件下，使所述内部电容器放电； 电平移位器，其耦合到所述输出节点并且被配置为将所述输出节点处的输出电位转换为数字值；以及 时钟控制的1位存储器设备，其被配置为从所述时钟信号发生器接收所述时钟信号，从所述电平移位器接收所述数字值，并且在每个时钟周期的基础上在所述时钟信号的每个时钟脉冲处输出所述数字值。

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