三星电子株式会社赵显守获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储装置和存储系统的操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112306900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010574788.2,技术领域涉及:G06F12/02;该发明授权存储装置和存储系统的操作方法是由赵显守;金东民;李京伯设计研发完成,并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置和存储系统的操作方法在说明书摘要公布了:提供一种存储装置和存储系统的操作方法。一种存储装置包括:非易失性存储器装置,包括第一区域、第二区域和第三区域;和控制器,从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据,并将第一数据存储在非易失性存储器装置中,当第一写入命令包括区域信息时,控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域或第二区域中,当第一写入命令不包括区域信息时,控制器将第一数据存储在第三区域中,第一区域和第二区域中的每个包括均存储“n”个比特的存储器单元n为正整数,并且第三区域包括均存储“m”个比特的存储器单元m为大于n的正整数。
本发明授权存储装置和存储系统的操作方法在权利要求书中公布了:1.一种存储装置,包括: 非易失性存储器装置,包括非固定缓冲区域、固定缓冲区域和用户存储区域;和 控制器,被配置为:从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令,响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据,并将第一数据存储在非易失性存储器装置中, 其中,当第一写入命令包括第一区域信息时,控制器将第一数据存储在非固定缓冲区域中,并且当第一写入命令包括第二区域信息时,控制器将第一数据存储在固定缓冲区域中, 其中,当第一写入命令不包括第一区域信息和第二区域信息时,控制器将第一数据存储在用户存储区域中, 其中,非固定缓冲区域和固定缓冲区域中的每个包括均被配置为存储“n”个比特的存储器单元,并且用户存储区域包括均被配置为存储“m”个比特的存储器单元,n为正整数,m为大于n的正整数,并且 其中,控制器还被配置为: 响应于来自主机装置的冲刷请求,将存储在固定缓冲区域中的数据冲刷到用户存储区域;并且 根据冲刷策略将存储在非固定缓冲区域中的数据冲刷到用户存储区域。
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