富士电机株式会社万·阿札·宾·万·马特获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010892785.3，技术领域涉及：H01L23/49；该发明授权半导体装置是由万·阿札·宾·万·马特设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种在接近的半导体芯片的接合中，能够以不使半导体芯片错位的方式配置的半导体装置。半导体装置具有：半导体芯片20、21，其经由焊料31而设置在配置区域；以及键合线15a～15d，其在俯视下，在间隙A以沿长度方向横跨槽部14的方式设置。通过这样的键合线15a～15d，从而阻挡利用在半导体装置的制造过程中的回流焊接而熔融了的焊料31向配置区域的间隙A侧扩散。因此，防止扩散了的焊料31在间隙A结合，并且抑制半导体芯片20、21的错位。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 基板，其具有电路板以及在正面形成有所述电路板的绝缘板，所述电路板在正面隔着间隙而分别与所述间隙平行地设定有第一配置区域和第二配置区域，并且在所述间隙的一部分以长度方向沿所述平行的方向的方式形成有槽部； 第一半导体芯片，其经由第一接合材料而设置在所述第一配置区域； 第二半导体芯片，其经由第二接合材料而设置在所述第二配置区域；以及 阻挡部件，其在俯视下，在所述间隙以沿所述长度方向横跨所述槽部的方式设置，并且是细线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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