苏州晶歌半导体有限公司张立群获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶歌半导体有限公司申请的专利红外探测器及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112531047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011519765.8,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权红外探测器及其制作方法是由张立群;黄勇设计研发完成,并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外探测器及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器的N型吸收层12为N型InAs材料或者N型InAsInPSb超晶格,并且所述红外探测器的N型势垒层13为N型InPSb材料。本发明的器件结构中完全不含Al,避免了含Al材料的氧化,降低了材料生长和加工的难度,提升了器件稳定性和可靠性。
本发明授权红外探测器及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种红外探测器,其特征在于,包括:衬底10、N型接触层11、N型吸收层12、N型势垒层13、P型接触层14、第一电极15以及第二电极16; 其中,所述N型接触层11、所述N型吸收层12、所述N型势垒层13、所述P型接触层14沿远离所述衬底10的方向依序层叠设置在所述衬底10上,所述第一电极15与所述N型接触层11接触,所述第二电极16设置在所述P型接触层14上; 其中,所述红外探测器的N型吸收层12为N型InAs材料或者N型InAsInPSb超晶格,并且所述红外探测器的N型势垒层13为N型InPSb材料。
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