四川大学邓国亮获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110016531.X，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构是由邓国亮;李悦;杨莫愁;周昊设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种综合黑硅以及石墨烯各自优点的石墨烯黑硅光电复合探测器结构，属于光电探测技术领域，其包括Si衬底5、位于Si衬底5表面的重掺杂层3、位于重掺杂层3上方的石墨烯层2、设置在石墨烯层2上表面的上端电极1以及覆盖整个Si衬底5下表面的金属下端电极4；所述石墨烯层2与上端电极1之间形成欧姆接触。本发明解决了传统黑硅光电探测器载流子导出效率低和传统硅光电探测器探测波长范围有限的问题，能提高硅基探测器的性能。
本发明授权一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯黑硅光电复合探测器结构，其特征在于：从下至上分别包括覆盖整个Si衬底5下表面的金属下端电极4、Si衬底5、位于Si衬底5表面的重掺杂层3、位于重掺杂层3上方且通过化学气相沉积法覆盖整个黑硅尖锥状微结构重掺杂层区域自然形成的载流子传输通道触点结构，用于抵消内部黑硅载流子迁移率低、寿命短的缺陷且充当透明电极的单层石墨烯层2、设置在单层石墨烯层2上表面的金属上端电极1以及；所述单层石墨烯层2与上端电极1之间形成欧姆接触。
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