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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利基板制造的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113016059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980074920.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基板制造的方法和设备是由普里亚达希·潘达;李吉尔;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;姜声官;桑杰·纳塔拉扬设计研发完成，并于2019-10-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板制造的方法和设备在说明书摘要公布了：本文提供基板制造的方法和设备。例如，所述设备可包括群集工具，其包括真空传送模块VTM，其配置为在真空条件下接收具有多晶硅插塞多晶插塞的硅基板，且在不中断真空的情况下将基板传送至多个处理腔室和从多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至VTM，以在基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，多个处理腔室包括：预清洁腔室，其配置为从基板的表面移除原生氧化物；阻挡金属沉积腔室，其配置为在硅基板上的多晶插塞的表面上沉积阻挡金属；阻挡层沉积腔室，其配置为在阻挡金属的表面上沉积至少一种材料；位线金属沉积腔室，其配置为在阻挡层的表面上沉积至少一种材料；和硬掩模沉积腔室，其配置为在位线金属的表面上沉积至少一种材料。

本发明授权基板制造的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于执行动态随机存取存储器DRAM位线堆叠工艺的群集工具，所述群集工具包括： 真空传送模块VTM，所述真空传送模块VTM被配置为在真空条件下接收具有形成于其上的多晶硅插塞的基板，且在不中断真空的情况下将所述基板传送至多个处理腔室和从所述多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至所述VTM，以在所述基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，所述多个处理腔室包括： 预清洁腔室，所述预清洁腔室被配置为从所述多晶硅插塞的表面移除原生氧化物； 阻挡金属沉积腔室，所述阻挡金属沉积腔室被配置为在所述多晶硅插塞上沉积阻挡金属； 阻挡层沉积腔室，所述阻挡层沉积腔室被配置为在所述阻挡金属上沉积阻挡层； 位线金属沉积腔室，所述位线金属沉积腔室被配置为在所述阻挡层上沉积位线金属层； 退火腔室，所述退火腔室被配置为在沉积所述位线金属层后在所述基板上执行退火工艺；和 硬掩模沉积腔室，所述硬掩模沉积腔室被配置为在退火后的所述基板的表面上沉积硬掩模层。

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