台湾积体电路制造股份有限公司吴俊毅获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装及其制造方法与系统封装的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010279205.3，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体封装及其制造方法与系统封装的制造方法是由吴俊毅;余振华设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装及其制造方法与系统封装的制造方法在说明书摘要公布了：本文阐述一种半导体封装及其制造方法与系统封装的制造方法。所述系统封装包括具有多个分立内连线结构的集成衬底。所述多个分立内连线结构被放置及包封，并且具有在所述多个分立内连线结构之间形成的间隙。所述系统封装会减少封装翘曲及减轻板级可靠性的问题。
本发明授权半导体封装及其制造方法与系统封装的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种系统封装的制造方法，包括： 在载体上形成重布线结构； 通过多个外部连接件在所述重布线结构的第一侧上贴合第一内连线结构及第二内连线结构，其中在贴合之后，在所述第一内连线结构的侧壁与所述第二内连线结构的侧壁之间设置第一间隙，其中所述第一间隙具有从所述重布线结构的所述第一侧到与所述重布线结构相背的所述第一内连线结构的表面所测量的第一高度； 在所述第一内连线结构周围及所述外部连接件之间沉积模塑底部填充材料，所述模塑底部填充材料在所述第一间隙内具有第二高度，并且在所述第一内连线结构的与所述第二内连线结构相背的一侧上具有第三高度，所述第二高度小于所述第一高度及所述第三高度，其中在所述第一间隙内的所述模塑底部填充材料与所述重布线结构接触；以及 将外部电连接器安装在所述第一内连线结构的背向所述重布线结构的一侧以及在所述第二内连线结构的背向所述重布线结构的一侧，其中所述模塑底部填充材料的一部分垂直地与所述外部电连接器重叠。
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