意法半导体股份有限公司D·G·帕蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110139503.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺是由D·G·帕蒂;M·G·斯库拉蒂;M·莫里利设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺。一种竖直传导电子功率器件，包括：主体，由第一表面和第二表面界定并且具有半导体材料的外延层，以及衬底。外延层由主体的第一表面界定，并且衬底由主体的第二表面界定。外延层至少包含第一传导区域和第二传导区域，具有第一掺杂类型，以及多个在外延层内延伸的绝缘栅极区域。衬底具有至少一个硅化物区域，该硅化物区域从主体的第二表面开始朝向外延层延伸。
本发明授权具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种竖直传导电子功率器件，包括： 主体，具有第一表面和第二表面，并且包括衬底和半导体材料的外延层，所述外延层位于所述主体的所述第一表面与所述衬底之间，所述外延层至少包含具有第一掺杂类型的第一传导区域和第二传导区域； 多个绝缘栅极区域，其在所述主体的所述第一表面之上、或者在所述外延层内延伸； 在所述第二表面处的多个硅化物柱，包括远离所述外延层的底部；以及 在所述多个硅化物柱的底部上的金属层，所述金属层包括在所述多个硅化物柱之间部分地穿过所述衬底朝所述外延层延伸的多个金属柱，其中每对相邻金属柱之间的横向空间完全由来自所述多个硅化物柱的相应硅化物柱填充。
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