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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110042908.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及方法是由廖思羽;苏祖辉;范纯祥;王育文;叶明熙;黄国彬设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善半导体器件中的沟道区域的轮廓的方法以及通过这些方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上形成半导体鳍，该半导体鳍包括锗，该半导体鳍的第一部分的锗浓度大于该半导体鳍的第二部分的锗浓度，该第一部分与半导体衬底的主表面之间的第一距离小于该第二部分与半导体衬底的主表面之间的第二距离；以及修整半导体鳍，半导体鳍的第一部分以比半导体鳍的第二部分更大的速率被修整。

本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在半导体衬底之上形成半导体鳍和第二半导体鳍，所述半导体鳍包括硅锗，所述第二半导体鳍包括硅，其中，所述半导体鳍的第一部分的锗浓度大于所述半导体鳍的第二部分的锗浓度，所述第一部分与所述半导体衬底的主表面之间的第一距离小于所述第二部分与所述半导体衬底的所述主表面之间的第二距离，并且其中，所述半导体鳍的侧壁与所述半导体衬底的主表面之间的第三角度与所述第二半导体鳍的侧壁与所述半导体衬底的所述主表面之间的第四角度相比更接近垂直；以及 修整所述半导体鳍，其中，所述半导体鳍的所述第一部分以比所述半导体鳍的所述第二部分更大的速率被修整， 其中，所述方法还包括：形成围绕所述半导体鳍的至少一部分的浅沟槽隔离区域； 其中，所述半导体鳍包括在所述浅沟槽隔离区域的顶表面之上的第一笔直侧壁以及在所述浅沟槽隔离区域的所述顶表面之下的第二笔直侧壁，其中，所述第一笔直侧壁和所述半导体衬底的所述主表面之间的第一角度与所述第二笔直侧壁和所述半导体衬底的所述主表面之间的第二角度相比更接近垂直， 其中，所述半导体鳍在所述浅沟槽隔离区域的顶表面之上的部分与所述半导体鳍在所述浅沟槽隔离区域的顶表面之下的部分的宽度之间存在阶梯差。

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