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龙图腾网获悉苏州华太电子技术有限公司申请的专利一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110836964.X，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件是由彭虎;杜睿;卢烁今设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其中包含合封的SiC‑JFET管芯和Si‑LDMOS管芯，Si‑LDMOS管芯的漏极与SiC‑JFET管芯的源极相连，SiC‑JFET管芯的漏极从背面引出，作为SiC功率器件成品的漏极引出，Si‑LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件成品的栅极引出，Si‑LDMOS管芯的源极从背面引出，与SiC‑JFET管芯的栅极相连并引出作为SiC功率器件成品的源极引出。本发明提出了一种新封装结构，通过加大引线框架面积，将SI‑LDMOS管芯焊接在框架上，相应PIN脚直接引出，最大程度降低封装的共源极寄生电感。本发明通过若干优化封装方案，显著降低合封器件的源极寄生电感，提升SiC功率器件的开关性能。

本发明授权一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于，所述SiC功率器件包含合封的SiC-JFET管芯和Si-LDMOS管芯，所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极相连，所述Si-LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件成品的栅极引出，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出，与SiC-JFET管芯的栅极相连并引出作为SiC功率器件成品的源极引出；所述SiC功率器件包括第一基板和第二基板，所述Si-LDMOS管芯直接固定于所述第一基板上，所述SiC-JFET管芯通过所述第二基板固定于所述第一基板上，所述SiC-JFET管芯的漏极从背面引出到所述第二基板上，作为SiC功率器件的漏极引出，所述SiC-JFET管芯的栅极通过第一基板与Si-LDMOS管芯的源极相连，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出到第一基板作为SiC功率器件的源极引出。

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